另辟蹊径!中国在下一代光电芯片制造领域获重大突破

发表时间:2022-09-16 16:25

【手机中国新闻】最近几年,国产芯片面临 " 卡脖子 " 的危险。有专家讨论,中国要么沿着国外的技术路线打造国产芯片;要么另辟蹊径,开辟全新的赛道,实现弯道超车。显然,后一条路线更难。目前来看,这两条路线是并行的,而且各自有所突破。


国产芯片(图文无关)


9 月 14 日晚,中国科学家在国际顶级学术期刊《自然》发表最新研究,首次得到了纳米级光雕刻三维结构,在下一代光电芯片制造领域获得了重大突破。这一重大发明未来或可开辟光电芯片制造新赛道,有望用于光电调制器、声学滤波器、非易失铁电存储器等关键光电器件芯片制备,在 5G/6G 通讯、光计算、人工智能等领域有广泛的应用前景。

据悉,南京大学张勇、肖敏、祝世宁领衔的科研团队,发明了一种新型 " 非互易飞秒激光极化铁电畴 " 技术,将飞秒脉冲激光聚焦于材料 " 铌酸锂 " 的晶体内部,通过控制激光移动的方向,在晶体内部形成有效电场,实现三维结构的直写和擦除。

这一新技术的难度在于,它突破了传统飞秒激光的光衍射极限,把光雕刻铌酸锂三维结构的尺寸,从传统的 1 微米量级(相当于头发丝的五十分之一),首次缩小到纳米级,达到 30 纳米,大大提高了加工精度。


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